Область применения
Разработанная продукция является одним из важнейших шагов на пути к реализации электронных устройств в области спинторники. Такие устройства позволяют получать энергонезависимый доступ к управлению информацией, хранению данных и т.д. Развитие спинтроники раскрывает перспективы соз- дания сенсоров магнитного поля, а также считывающих головок для жестких дисков с повышенной плот- ностью записи информации, а также нового поколения магнитной памяти MRAM (Magnetic Random Access Memory).
Технические характеристики
Отличительной особенностью, разработанной нами технологии, является использование сапфировых подложек с микро- и нанорельефом. Кроме того, обычно получают пленки в одном цикле непосредственно стехиометрии BiFeO3 из металлорганических соединений Bi и Fe. В отличие от них, мы используем циклы послойного осаждения оксида железа и оксида висмута, а далее путем отжига формируем фазу феррита висмута высокого совершенства.
Преимущества
Преимущества метода особенно заметны там, где комбинация точности учета числа атомных слоев одновременно с легким контролем летучих компонентов, масштабируемостью, ценой и универсальностью конформного осаждения, связанного с процессом ограничения скорости реакции на поверхности подложки, являются важными факторами.
Используемый метод атомно-слоевого осаждения легко и быстро реализуется, низкоэнергозатратный и позволяет получать пленки BiFeO3 с улучшенными по сравнению с керамикой магнитоэлек- трическими свойствами.
Просвечивающая электронная микроскопия скола пленки BiFeO3, справа и слева электронограммы выделенных участков пленки и подложки
Правовая защита
Технология разработана при финансовой поддержке Фонда содействия иннова- циям по программе УМНИК. Договор 10718ГУ/2015 от 14.11.2016
Авторы
Эмиров Р.М., Палчаев Д.К., Рабаданов М.Х., Мурлиева Ж.Х., Рамазанов Ш.М.